低噪放双电源偏置电路求解有问

最近在学习ADS软件，准备照着别人的论文设计一个低噪放（ADS软件使用和射频电路仿真，我都是小白，所以下面的有些描述不准确，还望各位指点），前面的直流电路工作点已经照葫芦画瓢的弄好了，但是在做到直流偏置电路的设计时遇到了一点问题，《ADS射频电路设计与仿真实例》（徐兴福）书中是单电源的偏置电路，用到了DA_FETBias控件，但是我看的论文中用到的是双电源供电，论文中直接给出了最后优化好的电路，也没有分析过程，所以对我这个小白来说就看不懂了，下面给出一些指标和最终的偏置电路，懂的大神给我分析一下，不甚感激！
具体直流电路工作点要求是：VDS=1.5V，VGS=-0.215V，IDS=10mA

工作频率是3.7GHz-4.2GHz，所用的管子是ATF-36077

还有就是请问一下，ADS中有没有双电源的偏置电路设计控件

1-.在楼主使用的频带内，有性能更好，价格更实惠的元件。（如果你是在行业内的话，不然当我没说过！）
2-.GaAs的Vds、Id受制在-Vg（因为GaAs的温度补偿很差、所以需要Active Bias Circuit）
3-.Active Bias Circuit没有现成的控件可用，需要自己创造一个！

我是小白，才接触这个没几天，只能下载一些论文看看，之前一直在研究天线，ADS也刚接触，使用还不能很6，谢谢你的回复。不过你的图我没看懂……另外能不能帮我分析一下我的图中，这样的偏置电路为什么能达到设计的指标，说实话，我不太会分析，还望指导一下，谢谢！

我的图中，右边的是FET Bias的原理图（真实电路），它在做的就是Active Bias，对应到左侧我用了一个（X-Parameter的控件方式简化Active Bias circuit--名为FET Bias），左图它就是一个LNA线路而且是真实的使用线路图中也同时显示出正常动作时FET所处的Vg、Vds、Id...

**你图中的Vg目前是-0.215V，如果已经是最佳工作点Id=10mA，那你可以试著改变Vg从-0 -0.3V（这个Vg、Id、Vds实际上是要在元件的规格书上，依据你电路的需求去找出符合你要的最佳点而设定，而理所当然Gain最佳和Noise最佳的偏置点一定不一样！）
这时你将发现电路的Id、增益、噪声..都会变化！
当然每一次的变动你都可以透过Simulate -> Annotate DC Solution这个功能看到每一个节点的电压 / 电流变化。

听你这么一讲，我确实有点理解了，后来我又照着论文上面的解释看了一下，说了每个电容电感的作用，才知道，不过你的那个图确实有点高端，我还要再消化消化，非常感谢你的回复，以后有不懂的还要请教你

惭愧了，我那个图不高端！它只是输入端接入了双极化信号源（EMPro仿真圆形波导管、转成*.S4P），调适微带线匹配低噪声放大级...如此而已。

你能帮我解释一下，为什么IDS=10mA吗，我怎么算的是20mA……
IDS = 3V / (88+50+12.6) = 20mA，但是用annotate DC Solution看确实是10mA，好奇怪，怎么算的

这是直流工作点的曲线

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。